El jueves, Wells Fargo actualizó sus perspectivas financieras para Micron Technology (NASDAQ:MU), elevando el precio objetivo de la acción de $125.00 a $135.00 mientras mantiene una calificación de Sobreponderar. El ajuste se produce en medio de la evolución positiva de la oferta de productos de Micron y su posicionamiento en el mercado.
El análisis de la firma destacó la memoria de alto ancho de banda (HBM3E) de Micron como un factor significativo, señalando que la capacidad de HBM3E de la compañía para el año natural 2024 se ha agotado, con la gran mayoría del suministro de 2025 ya asignado.
Micron ha reiterado su expectativa de generar cientos de millones en ingresos en 2024 y aspira a alcanzar una cuota de mercado comparable superior al 20% en DRAM en algún momento de 2025. Además, se prevé que el porcentaje de margen bruto de la DRAM HBM3E se incremente en el tercer trimestre fiscal de 2024.
El informe también aborda el impulso de la inteligencia artificial (IA) y la recuperación de los envíos de servidores tradicionales, y prevé un crecimiento de los envíos de servidores de entre un dígito medio y un dígito alto en términos interanuales para 2024. La recuperación del mercado de servidores tradicionales se considera un catalizador positivo adicional, junto con el impulso sostenido de las aplicaciones de IA.
Se reiteraron las expectativas de Micron de normalizar el inventario de clientes en el primer semestre de 2024, con una perspectiva de precios mejorada tanto en DRAM como en NAND para el año natural 2024. Las previsiones de gasto de capital de la empresa para el ejercicio fiscal 2024 se mantienen sin cambios entre 7.500 y 8.000 millones de dólares, con una previsión de disminución del gasto en equipos de fabricación de obleas (WFE) en comparación con el año anterior.
Por último, los comentarios de la empresa reafirman la confianza en la ejecución tecnológica de Micron. Aproximadamente el 75% de los bits de DRAM de Micron se encuentran ya en los nodos 1-alfa y 1-beta, y más del 90% de su producción de NAND se realiza en nodos de 176 o 232 capas. El inicio de la producción en serie de DRAM 1-gamma mediante litografía ultravioleta extrema (EUV) está previsto para el año 2025.
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