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Micron inicia la producción en serie de HBM3E de alta eficiencia energética

EditorNatashya Angelica
Publicado 26.02.2024, 17:37
Actualizado 26.02.2024, 17:37
© Reuters

BOISE, Idaho - Micron (NASDAQ:MU) Technology, Inc. (NASDAQ:MU), uno de los principales proveedores de soluciones de memoria y almacenamiento, ha iniciado la producción en serie de su solución High Bandwidth Memory 3E (HBM3E), según acaba de comunicar la compañía. La HBM3E 8H de 24 GB de Micron se integrará en las GPU NVIDIA H200 Tensor Core, cuya comercialización está prevista para el segundo trimestre de 2024.

La nueva solución HBM3E de Micron ofrece un rendimiento superior con una velocidad de pin superior a 9,2 gigabits por segundo, lo que proporciona más de 1,2 terabytes por segundo de ancho de banda de memoria. El objetivo de este avance es satisfacer la creciente demanda de aplicaciones de inteligencia artificial (IA), superordenadores y centros de datos, proporcionando un rápido acceso a los datos para los aceleradores de IA.

La HBM3E de Micron destaca por su excepcional eficiencia energética, ya que consume aproximadamente un 30% menos de energía que las ofertas de HBM3E de sus competidores. Esta característica es especialmente significativa, ya que puede contribuir a reducir los costes operativos de los centros de datos, una consideración clave para las empresas que dependen de operaciones de IA a gran escala.

La HBM3E de la compañía también ofrece escalabilidad sin fisuras con sus 24 GB de capacidad, lo que facilita la expansión de aplicaciones de IA que van desde el entrenamiento de extensas redes neuronales hasta la aceleración de tareas de inferencia.

Sumit Sadana, vicepresidente ejecutivo y director de negocio de Micron, destacó la importancia del ancho de banda y la capacidad de la memoria para las cargas de trabajo de IA y expresó su confianza en la posición de Micron para respaldar el crecimiento previsto de la IA.

Además de la producción actual, Micron está avanzando en su liderazgo con el muestreo de una variante HBM3E de 36 GB y 12 alturas en marzo de 2024, que se espera que ofrezca ventajas similares de rendimiento y eficiencia energética.

El desarrollo del diseño HBM3E por parte de Micron utiliza su tecnología 1-beta y avanzadas vías a través del silicio (TSV), entre otras innovaciones, lo que contribuye a una solución de empaquetado diferenciada. La compañía también forma parte de la alianza 3DFabric de TSMC, que desempeña un papel en el futuro de las innovaciones en semiconductores y sistemas.

El anuncio coincide con el patrocinio por parte de Micron de la GTC de NVIDIA, una conferencia mundial sobre IA que comenzará el 18 de marzo y en la que la empresa tiene previsto dar más detalles sobre su cartera de memorias de IA y sus hojas de ruta.

Esta noticia se basa en un comunicado de prensa de Micron Technology, Inc.

Este artículo ha sido generado y traducido con el apoyo de AI y revisado por un editor. Para más información, consulte nuestros T&C.

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